碳化硅是如何制作出来的？

因为自然条件的特殊性，碳化硅在天然情况下很难生产，所以自然界含量非常少，碳化硅球求购，但是工业上碳化硅需求非常大。所以几乎所以的碳化硅都是人造的。

碳化硅的熔点大约为2000度，所以制作碳化硅必须把温度加热到2000度以上。常见的制作方法如下：

将石英砂与焦炭混合，并加入NaCl和木屑，碳化硅球生产，置入中频加热高温电炉中，将温度加热到2000度，会制作成碳化硅。

化学公式为：SiO2 3C(高温2000°)==SiC 2CO

碳化硅制品基本上也是在高温的情况下，制作而成。

逆变器对新技术和新器件的应用仍是太少，以碳化硅为功率器件的逆变器，并且开始大批量应用，河南碳化硅球，碳化硅内阻很少，可以把效率做很高，碳化硅球价格，开关频率可以达到10K，也可以节省LC滤波器和母线电容。

在半导体领域的应用

碳化硅一维纳米材料因为自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多优异机能和更加广泛的应用远景，被普遍以为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。

重结晶碳化硅与反映烧结碳化硅的区别

反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅在制作过程中主要的区别是使用温度不同， 反应烧结1300度左右，重结晶1600度左右， 工艺大体基本相同，就是烧结方式不同，反应烧结渗硅烧结温度低，重结晶烧结温度高，不超过使用温度的情况下反应烧结比重结晶抗弯强度高。大家在应用这些材料的时候可以参考这些，大家在生活中对这些材料有需要就联系我们吧。

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